 
|
4 вафля дюйма LNOI достигая компактной фотонной интеграции
Подробная информация о продукте:
| Место происхождения: | КИТАЙ |
| Фирменное наименование: | BonTek |
| Сертификация: | ISO:9001, ISO:14001 |
| Номер модели: | Вафля LNOI |
Оплата и доставка Условия:
| Количество мин заказа: | 25 шт. |
|---|---|
| Цена: | $2000/pc |
| Упаковывая детали: | Пакет опарника кассеты, вакуум загерметизировал |
| Время доставки: | 1-4 недель |
| Условия оплаты: | T/T |
| Поставка способности: | 50000 PCS/Month |
|
Подробная информация |
|||
| Продукт: | LiNbO3 на изоляторе | Диаметр: | 4 дюйма, Φ100mm |
|---|---|---|---|
| Верхний слой: | ниобат лития | Верхняя толщина: | 300~600nm |
| Облучение солнцем: | Термальная окись SiO2 | Толщина облучения солнцем: | 2000±15nm; 3000±50nm; 4700±100nm |
| Субстрат: | кремний | Применение: | Оптически волноводы и Microwaveguides |
| Выделить: | Вафля LNOI пьезоэлектрическая,4 вафля дюйма LNOI,300nm LiNbO3 на изоляторе |
||
Характер продукции
Достигать компактной фотонной интеграции с вафлями 4-Inch LNOI
LNOI стоит для ниобата лития на изоляторе, который специализированная технология субстрата используемая в поле интегрированного photonics. Субстраты LNOI изготовлены путем переносить тонкий слой кристалла на изолируя субстрат, типично двуокиси кремния (SiO2) или нитрида ниобата лития (LiNbO3) кремния (Si3N4). Эта технология предлагает уникальные преимущества для развития компактных и высокопроизводительных фотонных приборов.
Изготовление субстратов LNOI включает скрепить тонкий слой LiNbO3 на изолирующий слой используя методы как выпуск облигаций или ион-вырезывание вафли. Это приводит в структуре где LiNbO3 приостанавливано на непроводящем субстрате, предусматривая электрическую изоляцию и уменьшая оптически потери волновода.
Применения LNOI:
- Интегрированное Photonics
- Оптическая связь
- Воспринимать и метрология
- Оптика Кванта
| Вафля LNOI | |||
| Структура | LN/SiO2/Si | LTV/PLTV | < 1="">) mm2 ∗ 5/95% |
| Диаметр | ± Φ100 0,2 mm | Край Exclution | 5 mm |
| Толщина | 500 μm ± 20 | Смычок | Внутри μm 50 |
| Основная плоская длина | ± 47,5 2 mm ± 57,5 2 mm |
Утеска края | ± 2 0,5 mm |
| Скашивать вафли | R типа | Экологический | Rohs 2,0 |
| Верхний слой LN | |||
| Средняя толщина | 400/600±10 nm | Единообразие | < 40nm=""> |
| Индекс рефракции | отсутствие > 2,2800, ne < 2=""> | Ориентация | ± 0.3° оси x |
| Ранг | Оптически | Поверхностный Ра | < 0=""> |
| Дефекты | >1mm никакие; ≦1mmне позднее300итогов |
Деламинация | Никакие |
| Царапина | >1cm никакие; ≦1cmне позднее3 |
Основная квартира | Перпендикуляр к + ± 1° Y-osи |
| Изоляция SiO2 слоя | |||
| Средняя толщина | 2000nm ± 100nm ± 50nm 4700nm ± 15nm 3000nm | Единообразие | <> |
| Сказочный. Метод | Термальная окись | Индекс рефракции | 1.45-1.47 @ 633 nm |
| Субстрат | |||
| Материал | Si | Ориентация | <100> ± 1° |
| Основная плоская ориентация | <110> ± 1° | Резистивность | > kΩ 10·см |
| Загрязнение задней стороны | Отсутствие видимого пятна | Задняя сторона | Вытравите |
