 
|
Вафля высокоскоростной модуляции и широкой ширины полосы частот пьезоэлектрическая с LNOI POI
Подробная информация о продукте:
| Место происхождения: | КИТАЙ |
| Фирменное наименование: | BonTek |
| Сертификация: | ISO:9001, ISO:14001 |
| Номер модели: | Вафля LNOI |
Оплата и доставка Условия:
| Количество мин заказа: | 25 шт. |
|---|---|
| Цена: | $2000/pc |
| Упаковывая детали: | Пакет опарника кассеты, вакуум загерметизировал |
| Время доставки: | 1-4 недель |
| Условия оплаты: | T/T |
| Поставка способности: | 1000 ПК/месяц |
|
Подробная информация |
|||
| Продукт: | Piezo на изоляции | Диаметр: | 4 дюйма, 6 дюймов |
|---|---|---|---|
| Верхний слой: | ниобат лития | Верхняя толщина: | 300~600nm |
| Облучение солнцем: | Термальная окись SiO2 | Толщина облучения солнцем: | 2000±15nm; 3000±50nm; 4700±100nm |
| Субстрат: | кремний | Применение: | Оптически волноводы и Microwaveguides |
| Выделить: | Вафля высокоскоростной модуляции пьезоэлектрическая,Вафля широкой ширины полосы частот пьезоэлектрическая,Вафля LNOI POI пьезоэлектрическая |
||
Характер продукции
Включать высокоскоростную модуляцию и широкую ширину полосы частот с LNOI POI
Piezo на изоляции (POI) ссылает на технологию где пьезоэлектрические материалы интегрированы на изолируя субстрат. Это учитывает использование пьезоэлектрического влияния пока предусматривающ электрическую изоляцию. Технология POI включают развитие различных приборов и системы которая обуздывают уникальные свойства пьезоэлектрических материалов для воспринимать, возбуждения, и энергии жать применения.
Технология POI (Piezo на изоляции) находит различные применения в различных полях должных к своей способности совместить преимущества пьезоэлектрических материалов с электрической изоляцией. Как датчики, Microelectromechanical системы и накопление энергии и поколение.
Многосторонность интегрировать пьезоэлектрические материалы на изолируя субстрат открытый вверх по возможностям для новаторских решений в разнообразных полях, включая электронику, энергия, здравоохранение, и больше.
| Вафля LNOI | |||
| Структура | LN/SiO2/Si | LTV/PLTV | < 1="">) mm2 ∗ 5/95% |
| Диаметр | ± Φ100 0,2 mm | Край Exclution | 5 mm |
| Толщина | 500 μm ± 20 | Смычок | Внутри μm 50 |
| Основная плоская длина | ± 47,5 2 mm ± 57,5 2 mm |
Утеска края | ± 2 0,5 mm |
| Скашивать вафли | R типа | Экологический | Rohs 2,0 |
| Верхний слой LN | |||
| Средняя толщина | 400/600±10 nm | Единообразие | < 40nm=""> |
| Индекс рефракции | отсутствие > 2,2800, ne < 2=""> | Ориентация | ± 0.3° оси x |
| Ранг | Оптически | Поверхностный Ра | < 0=""> |
| Дефекты | >1mm никакие; ≦1mmне позднее300итогов |
Деламинация | Никакие |
| Царапина | >1cm никакие; ≦1cmне позднее3 |
Основная квартира | Перпендикуляр к + ± 1° Y-osи |
| Изоляция SiO2 слоя | |||
| Средняя толщина | 2000nm ± 100nm ± 50nm 4700nm ± 15nm 3000nm | Единообразие | <> |
| Сказочный. Метод | Термальная окись | Индекс рефракции | 1.45-1.47 @ 633 nm |
| Субстрат | |||
| Материал | Si | Ориентация | <100> ± 1° |
| Основная плоская ориентация | <110> ± 1° | Резистивность | > kΩ 10·см |
| Загрязнение задней стороны | Отсутствие видимого пятна | Задняя сторона | Вытравите |
